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SAMCO 平行平板型RIE裝置 RIE-200C

RIE-200C 是一種盒式設備，用于大規(guī)模生產(chǎn)，基于 RIE-10NR 的經(jīng)驗，該設備具有豐富的平行平板 RIE 設備交付記錄。
SAMCO氯系氣體對應的負載鎖定式RIE裝置RIE-200NL

RIE-200NL 是一種負載鎖定設備，基于 RIE-10NR 的經(jīng)驗，該設備具有豐富的平行平板 RIE 設備交付記錄。
SAMCO 平行平板型RIE裝置 RIE-10NR

RIE-10NR 是一種平行平板反應離子蝕刻（RIE）設備，用于各向異性加工各種硅薄膜，如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-230iP

RIE-230iP 是一種負載鎖定 ICP 蝕刻設備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細。
SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-400iP

RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圓的負載鎖定蝕刻設備，用于各種半導體膜和絕緣膜的高精度、高均勻性。
SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-800iP

高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。該設備具有負載鎖室，具有出色的工藝可重復性和穩(wěn)定性。
SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-350iPC

RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設備，用于化合物半導體工藝的多片同時處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（工業(yè)堆疊 Plasma）
SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-100HiC

高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。無負載鎖室的設備配置可實現(xiàn)低成本和節(jié)省空間，同時配備 2 個盒式磁帶。
SAMCO ICP蝕刻裝置 RIE-400iPC

高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。該裝置是一種全面生產(chǎn)設備，具有真空盒室，具有優(yōu)異的工藝可重復性和穩(wěn)定性。它成為直徑為 ±4 英寸的晶圓專用設備，可以安裝在節(jié)省空間的地方。
SAMCO ICP 蝕刻設備 RIE-800iPC

高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。該裝置是一種全面生產(chǎn)設備，具有真空盒室，具有優(yōu)異的工藝可重復性和穩(wěn)定性。
SAMCO ICP蝕刻裝置 RIE-802iPC

高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場）作為放電形式。該裝置具有兩個反應室，提高了區(qū)域生產(chǎn)率，是一種具有出色工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性的正宗生產(chǎn)設備。
SAMCO用于研發(fā)的液體源 CVD? 設備

PD-100ST 是一種低溫、高速等離子CVD設備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜（SiO+），用于液體材料。
SAMCO液體源 CVD? 設備

PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設備，專為 TSV（Si 通孔）開發(fā)。
SAMCO量產(chǎn)用液體源 CVD? 設備 PD-270STLC

PD-270STLC 是一種低溫、高速等離子 CVD 設備，用于通過 TEOS 形成氧化硅膜（SiO+），用于液體材料。
SAMCO液體源CVD設備 PD-200STL

PD-200STL 是一種高速等離子CVD設備，用于通過液體源形成氧化硅（SiO2）膜和氮化硅（SiN）膜。
SAMCO等離子體CVD裝置 PD-3800L

小直徑晶片多片處理用等離子體CVD裝置
SAMCO 等離子CVD設備 PD-220NL

雖然設計緊湊，可沉積到 ±8 英寸晶圓上，但樣品為 ±3 英寸晶圓，可同時沉積 5 個晶圓，4 英寸晶圓可同時形成 3 個薄膜，1 個 ±8 英寸晶圓可以沉積。
SAMCO等離子CVD設備 PD-2201LC

在廣泛的膜質(zhì)量控制 SiN沉積中，應力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。此外，通過改變氣體流速比，還可以控制折射率。
SAMCO ALD 設備 AL-1 原子層沉積設備

通過提供具有數(shù)十毫秒級良好沉積效率的脈沖，減少了原材料的損耗，提高了沉積效率。
SAMCO 等離子 ALD 設備 AD-230LP

電子器件的絕緣膜、鈍化膜

蘇公網(wǎng)安備 32050502000409號

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